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產品型號：CgD廣州南創電子科技有限公司
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BALLUFF巴魯夫位移傳感器BTL5-E50-M0650-J-DEXC-TA12原理：CgD廣州南創電子科技有限公司
典型 (在500 mm的50 %時) ≤ 30 ppm/KCgD廣州南創電子科技有限公司
重復精度 ±5 µm CgD廣州南創電子科技有限公司
工作電壓 20.0...28.0 V CgD廣州南創電子科技有限公司
用于動態規則應用 No CgD廣州南創電子科技有限公司
短路保護 對地，對36 V DC CgD廣州南創電子科技有限公司
反極性保護 36 V CgD廣州南創電子科技有限公司
保護管材料 不銹鋼1.4571 CgD廣州南創電子科技有限公司
防護等級符合IEC 60529 IP67 (帶插接器) CgD廣州南創電子科技有限公司
位置傳感器數，出廠設置 1 STCgD廣州南創電子科技有限公司
電氣特征關閉編程輸入端 20 … 28 V DC, High-active 接口 插接器, M16 CgD廣州南創電子科技有限公司
倉儲溫度，低 100 °C CgD廣州南創電子科技有限公司
電纜/插頭出線 軸向CgD廣州南創電子科技有限公司
固定方式 螺紋法蘭M18x1.5 CgD廣州南創電子科技有限公司
環境溫度Ta， 85 °C CgD廣州南創電子科技有限公司
環境溫度Ta，小 -40 °C CgD廣州南創電子科技有限公司
結構 型號系列，桿式結構CgD廣州南創電子科技有限公司
空氣濕度 < 90 %，不凝結CgD廣州南創電子科技有限公司
耐壓性 ≤ 600 barCgD廣州南創電子科技有限公司
巴魯夫BTL5-E50-M0121-J-DEXC-TA12磁致伸縮位移傳感器相關型號詞：CgD廣州南創電子科技有限公司
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磁致伸縮位移傳感器BTL5-E50-M0446-J-DEXC-TA12巴魯夫balluff位移傳感器尺寸圖：CgD廣州南創電子科技有限公司
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巴魯夫BTL5-E50-M0446-J-DEXC-TA12磁致伸縮位移傳感器技術參數圖：CgD廣州南創電子科技有限公司
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德國巴魯夫balluff磁致伸縮位移傳感器BTL5-D112-M0400-P-S93相關內容拓展閱讀：CgD廣州南創電子科技有限公司
德國巴魯夫balluff磁致伸縮位移傳感器BTL5-S101B-M0300-K-SR32電路設計是傳感器性能是否優越的關鍵因素，由于傳感器輸出端都是很微小的信號，巴魯夫balluff電子尺BTL5-S101-M0700-B-S32如果因為噪聲導致有用的信號被淹沒，那就得不償失了，所以加強傳感器電路的抗干擾設計尤為重要。在這之前，我們必須了解傳感器電路噪聲的來源，以便找出更好的方法來降低噪聲。總的來說，傳感器電路噪聲主要有一下七種：balluffBTL5-S101B-M0300-K-SR32位移傳感器低頻噪聲低頻噪聲主要是由于內部的導電微粒不連續造成的。特別是碳膜電阻，其碳質材料內部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續的，在電流流過時，會使電阻的導電率發生變化引起電流的變化，產生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，BTL5-S101-M0700-B-S32電子尺晶體管也可能產生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產生機理與電阻中微粒的不連續性相近，也與晶體管的摻雜程度有關。半導體器件產生的散粒噪聲由于半導體PN結兩端勢壘區電壓的變化引起累積在此區域的電荷數量改變，巴魯夫BTL5-S101-M0050-B-DEXB-K05 BTL5-S101-M0050-B-DEXB-K20 BTL5-S101-M0075-B-DEXB-K20磁致伸縮位移傳感器從而顯現出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區的電子和P區的空穴向耗盡區運動，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區，相當于電容放電。當外加反向電壓時，耗盡區的變化相反。當電流流經勢壘區時，這BTL5-S101B-M0300-K-SR32 BTL5-S101-M0700-B-S32電子尺balluff種變化會引起流過勢壘區的電流產生微小波動，從而產生電流噪聲。其產生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。CgD廣州南創電子科技有限公司
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